规格:0.5mm*114*114mm、1mm*114mm*114mm、0.635mm*120mm*120mm、1.5mm*120mm*120mm 适用:集成电路互连基板、光电通信、MCM、陶瓷载体、激光载体等领域
氮化铝陶瓷基板的性能特点:
1、热导率高,是氧化铝的5-10倍。
2、热膨胀系数(4.5-10-6/℃)与半导体硅材料(3.5-4.0-10-6/℃)匹配。
3、机械性能好,抗弯强度高,接近氧化铝。
4、电学性能优良,具有极高的绝缘电阻和低的介质损耗。
5、电路材料的相容性好,可以进行多层布线,实现封装的高密度和小型化。
6、无毒、环保。
氮化铝陶瓷产品处理形式:
1、可根据客户需求做表面金属化镀金、镀银、镀铜等金属,其导热效果更好。
2、常规类陶瓷产品可做抛光处理(可进行单、双面抛光),抛光之后的表面光洁度为Ra:0.02-0.05μm,无孔洞现象。
3、其他处理方式可依客户的图纸要求加工。
氮化铝陶瓷产品加工形式:
1、开模具加工:除激光加工外的产品都需要开模具加工。
2、激光加工产品:根据客户要求,采用激光产品(氮化铝、氧化铝、氧化锆等)进行划线、打孔及开糟加工,激光打孔至小孔径0.05mm,激光切割厚度2mm以下,其产品加工精度高,重复性好。